Vafer 6 inç 150mm epi e tipit N

Vafer 6 inç 150 mm epi tip N Imazhi i veçuar

Përshkrimi i shkurtër:

Semiceramund të sigurojë vafera epitaksiale 4, 6, 8 inç të tipit N 4H-SiC. Vaferi epitaksial ka gjerësi të madhe brezi, shpejtësi të lartë të zhvendosjes së elektroneve me ngopje, gaz elektron dydimensional me shpejtësi të lartë dhe forcë të lartë të fushës së prishjes. Këto veti e bëjnë pajisjen rezistencë ndaj temperaturës së lartë, rezistencë ndaj tensionit të lartë, shpejtësi të shpejtë të ndërrimit, rezistencë të ulët në ndezje, madhësi të vogël dhe peshë të lehtë.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

1.RrethVaferat epitaksiale me karabit silikoni (SiC).
Vaferat epitaksiale të karbitit të silikonit (SiC) formohen duke depozituar një shtresë të vetme kristali në një vaferë duke përdorur një vaferë me një kristal karabit silikoni si një substrat, zakonisht nga depozitimi kimik i avullit (CVD). Midis tyre, karabit silikoni epitaksial përgatitet duke rritur shtresën epitaksiale të karbitit të silikonit në nënshtresën përçuese të karbitit të silikonit dhe fabrikohet më tej në pajisje me performancë të lartë.
2.Meshë epitaksiale me karabit silikoniSpecifikimet
Ne mund të ofrojmë vafera epitaksiale 4, 6, 8 inç të tipit N 4H-SiC. Vaferi epitaksial ka gjerësi të madhe brezi, shpejtësi të lartë të zhvendosjes së elektroneve me ngopje, gaz elektron dydimensional me shpejtësi të lartë dhe forcë të lartë të fushës së prishjes. Këto veti e bëjnë pajisjen rezistencë ndaj temperaturës së lartë, rezistencë ndaj tensionit të lartë, shpejtësi të shpejtë të ndërrimit, rezistencë të ulët në ndezje, madhësi të vogël dhe peshë të lehtë.
3. Aplikimet Epitaksiale SiC
Meshë epitaksiale SiCpërdoret kryesisht në diodë Schottky (SBD), transistor me efekt në terren gjysmëpërçues të oksidit metalik (MOSFET) transistor me efekt në terren (JFET), tranzistor me kryqëzim bipolar (BJT), tiristor (SCR), transistor bipolar me portë të izoluar (IGBT), i cili përdoret në fushat e tensionit të ulët, të mesëm dhe të tensionit të lartë. Aktualisht,Vafera epitaksiale SiCpër aplikimet e tensionit të lartë janë në fazën e kërkimit dhe zhvillimit në mbarë botën.