Varkë me vaferë SiC
Varkë me vaferë me karabit silikoniështë një pajisje mbajtëse për vafera, e përdorur kryesisht në proceset e difuzionit diellor dhe gjysmëpërçues.Ka karakteristika të tilla si rezistenca ndaj konsumit, rezistenca ndaj korrozionit, rezistencë ndaj ndikimit në temperaturë të lartë, rezistencë ndaj bombardimeve plazmatike, kapacitet mbajtës të temperaturës së lartë, përçueshmëri të lartë termike, shpërndarje të lartë të nxehtësisë dhe përdorim afatgjatë që nuk është e lehtë për t'u përkulur dhe deformuar.Kompania jonë përdor material karabit silikoni me pastërti të lartë për të siguruar jetëgjatësinë e shërbimit dhe ofron dizajne të personalizuara, duke përfshirë.të ndryshme vertikale dhe horizontalevarkë me vaferë.
SiC Paddle
Tëvozis konsol karabit silikonipërdoret kryesisht në veshjen (difuzion) të vaferave të silikonit, e cila luan një rol vendimtar në ngarkimin dhe transportimin e vaferave të silikonit në temperaturë të lartë.Është një komponent kyç imeshë gjysmëpërçuesesistemet e ngarkimit dhe ka këto karakteristika kryesore:
1. Nuk deformohet në mjedise me temperaturë të lartë dhe ka një forcë të lartë ngarkuese në vaferë;
2. Është rezistent ndaj të ftohtit ekstrem dhe nxehtësisë së shpejtë dhe ka një jetë të gjatë shërbimi;
3. Koeficienti i zgjerimit termik është i vogël, duke zgjatur shumë ciklin e mirëmbajtjes dhe pastrimit dhe redukton ndjeshëm ndotësit.
Tub furre SiC
Tubi i procesit të karbitit të silikonit, i bërë nga SiC me pastërti të lartë pa papastërti metalike, nuk e ndot vaferin dhe është i përshtatshëm për procese të tilla si difuzioni gjysmëpërçues dhe fotovoltaik, pjekja dhe procesi i oksidimit.
Krahu i robotit SiC
Krahu i robotit SiC, i njohur gjithashtu si efekti i fundit i transferimit të vaferit, është një krah robotik që përdoret për të transportuar vafera gjysmëpërçuese dhe përdoret gjerësisht në industrinë e gjysmëpërçuesve, optoelektronikës dhe energjisë diellore.Përdorimi i karabit të silikonit me pastërti të lartë, me fortësi të lartë, rezistencë ndaj konsumit, rezistencë sizmike, përdorim afatgjatë pa deformime, jetë të gjatë shërbimi, etj, mund të ofrojë shërbime të personalizuara.
Grafit për rritjen e kristaleve
Mburoja e nxehtësisë nga grafiti
Tub elektrodë grafiti
Deflektori i grafitit
Kapëse grafiti
Të gjitha proceset e përdorura për rritjen e kristaleve gjysmëpërçuese funksionojnë në mjedise me temperaturë të lartë dhe gërryese.Zona e nxehtë e furrës së rritjes së kristalit zakonisht është e pajisur me pastërti të lartë rezistente ndaj nxehtësisë dhe rezistente ndaj korrozionit.komponentët e grafitit, të tilla si ngrohës grafiti, kavanoza, cilindra, deflektor, çanta, tuba, unaza, mbajtëse, arra, etj. Produkti ynë i përfunduar mund të arrijë një përmbajtje hiri më pak se 5 ppm.
Grafit për epitaksinë gjysmëpërçuese
Baza e grafitit
Fuçi epitaksiale e grafitit
Baza epitaksiale e silikonit monokry staline
Pjesë grafite MOCVD
Pajisje grafiti gjysmëpërçues
Procesi epitaksial i referohet rritjes së një materiali të vetëm kristal në një substrat të vetëm kristal me të njëjtin rregullim grilë si nënshtresa.Kërkon shumë pjesë grafiti me pastërti ultra të lartë dhe bazë grafiti me veshje SIC.Grafiti me pastërti të lartë i përdorur për epitaksinë gjysmëpërçuese ka një gamë të gjerë aplikimesh, të cilat mund të përputhen me pajisjet më të përdorura në industri, në të njëjtën kohë, ai ka jashtëzakonisht të lartë.pastërti, veshje uniforme, jetëgjatësi e shkëlqyer e shërbimit dhe rezistencë kimike jashtëzakonisht e lartë dhe stabilitet termik.
Materiale izoluese dhe të tjera
Materialet termoizoluese të përdorura në prodhimin e gjysmëpërçuesve janë shamia e fortë grafiti, shamia e butë, petë grafiti, materialet e përbërë nga karboni, etj. Lëndët e para tona janë materiale grafiti të importuara, të cilat mund të priten sipas specifikimeve të klientëve, dhe gjithashtu mund të shiten si e tërë.Materiali i përbërë i karbonit zakonisht përdoret si një bartës për procesin e prodhimit të qelizave monokristale diellore dhe polisilikon.