Wafer LiNbO3 6 inç e Semicera-s është projektuar për të përmbushur standardet rigoroze të industrisë së gjysmëpërçuesve, duke ofruar performancë të pashembullt si në mjediset kërkimore ashtu edhe në ato të prodhimit. Qoftë për optoelektronikë të nivelit të lartë, MEMS ose paketim gjysmëpërçues të avancuar, kjo vafer lidhëse ofron besueshmërinë dhe qëndrueshmërinë e nevojshme për zhvillimin e teknologjisë më të avancuar.
Në industrinë e gjysmëpërçuesve, vafera lidhëse LiNbO3 6 inç përdoret gjerësisht për lidhjen e shtresave të holla në pajisjet optoelektronike, sensorët dhe sistemet mikroelektromekanike (MEMS). Vetitë e tij të jashtëzakonshme e bëjnë atë një komponent të vlefshëm për aplikimet që kërkojnë integrim të saktë të shtresave, të tilla si në fabrikimin e qarqeve të integruara (IC) dhe pajisjeve fotonike. Pastërtia e lartë e meshës siguron që produkti përfundimtar të ruajë performancën optimale, duke minimizuar rrezikun e ndotjes që mund të ndikojë në besueshmërinë e pajisjes.
| Vetitë termike dhe elektrike të LiNbO3 | |
| Pika e shkrirjes | 1250 ℃ |
| Temperatura e Curie | 1140 ℃ |
| Përçueshmëri termike | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| Koeficienti i zgjerimit termik (@ 25°C) | //a，2.0×10-6/K //c，2.2×10-6/K |
| Rezistenca | 2×10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| Konstanta dielektrike | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2 |
| Konstanta piezoelektrike | D22=2,04×10-11C/N D33=19,22×10-11C/N |
| Koeficienti elektro-optik | γT33=32 pasdite/V， γS33=31 pasdite/V, γT31=10 pasdite/V， γS31= 8,6 pasdite/V, γT22=6,8 pasdite/V， γS22= 3.4 pasdite/V, |
| Tension gjysmë valë, DC | 3.03 KV 4.02 KV |
Vaferi lidhës 6 inç LiNbO3 nga Semicera është projektuar posaçërisht për aplikime të avancuara në industrinë e gjysmëpërçuesve dhe optoelektronikës. E njohur për rezistencën e saj të lartë ndaj konsumit, stabilitetin e lartë termik dhe pastërtinë e jashtëzakonshme, kjo meshë lidhëse është ideale për prodhimin e gjysmëpërçuesve me performancë të lartë, duke ofruar besueshmëri dhe saktësi afatgjatë edhe në kushte të vështira.
E krijuar me teknologjinë më të avancuar, vafera lidhëse LiNbO3 6 inç siguron ndotje minimale, e cila është thelbësore për proceset e prodhimit të gjysmëpërçuesve që kërkojnë nivele të larta pastërtie. Stabiliteti i tij i shkëlqyer termik e lejon atë të përballojë temperaturat e ngritura pa kompromentuar integritetin strukturor, duke e bërë atë një zgjedhje të besueshme për aplikimet e lidhjes në temperaturë të lartë. Për më tepër, rezistenca e jashtëzakonshme ndaj konsumit të meshës siguron që ajo të funksionojë vazhdimisht gjatë përdorimit të zgjatur, duke siguruar qëndrueshmëri afatgjatë dhe duke reduktuar nevojën për zëvendësime të shpeshta.
