Fuçi e reaktorit epitaksial të veshur me SiC me temperaturë të lartë

Imazhi i veçuar i fuçisë së reaktorit epitaksial të veshur me SiC me temperaturë të lartë

Përshkrimi i shkurtër:

Semicera ofron një gamë gjithëpërfshirëse të suceptorëve dhe komponentëve grafit të projektuar për reaktorë të ndryshëm epitaksi.

Nëpërmjet partneriteteve strategjike me OEM-të lider në industri, ekspertizës së gjerë të materialeve dhe aftësive të avancuara të prodhimit, Semicera ofron dizajne të përshtatura për të përmbushur kërkesat specifike të aplikacionit tuaj. Angazhimi ynë ndaj përsosmërisë siguron që ju të merrni zgjidhje optimale për nevojat tuaja të reaktorit të epitaksisë.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Kompania jonë ofronVeshje SiCpërpunoni shërbime në sipërfaqen e grafitit, qeramikës dhe materialeve të tjera me metodën CVD, në mënyrë që gazet speciale që përmbajnë karbon dhe silikon të mund të reagojnë në temperaturë të lartë për të marrë molekula Sic me pastërti të lartë, të cilat mund të depozitohen në sipërfaqen e materialeve të veshura për të formuar njëShtresë mbrojtëse SiCper epitaksi fuçi tip hy pnotic.

Karakteristikat kryesore:

1 .Grafit i veshur me SiC me pastërti të lartë

2. Rezistencë superiore ndaj nxehtësisë dhe uniformitet termik

3. MirëI veshur me kristal SiCpër një sipërfaqe të lëmuar

4. Qëndrueshmëri e lartë ndaj pastrimit kimik

Fuçi e reaktorit epitaksial të veshur me SiC me temperaturë të lartë

Specifikimet kryesore tëVeshje CVD-SIC

Vetitë SiC-CVD
Struktura Kristale	Faza β FCC
Dendësia	g/cm³	3.21
Fortësia	Fortësia e Vickers	2500
Madhësia e grurit	μm	2 ~ 10
Pastërtia Kimike	%	99,99995
Kapaciteti i nxehtësisë	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura e sublimimit	℃	2700
Forca Feleksural	MPa (RT 4 pikë)	415
Moduli i Young	Gpa (përkulje 4 pikë, 1300 ℃)	430
Zgjerimi termik (CTE)	10-6K-1	4.5
Përçueshmëri termike	(W/mK)	300