Pluhur SiC me pastërti të lartë

Imazhi i veçuar i pluhurit SiC me pastërti të lartë

Përshkrimi i shkurtër:

Pluhuri SiC me pastërti të lartë nga Semicera krenohet me përmbajtje jashtëzakonisht të lartë të karbonit dhe silikonit, me nivele pastërtie që variojnë nga 4N në 6N. Me madhësi të grimcave nga nanometra në mikrometra, ajo ka një sipërfaqe të madhe specifike. Pluhuri SiC i Semicera rrit reaktivitetin, shpërndarjen dhe aktivitetin sipërfaqësor, ideal për aplikime të avancuara të materialeve.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Karbidi i silikonit (SiC)po bëhet me shpejtësi një zgjedhje e preferuar mbi silikonin për komponentët elektronikë, veçanërisht në aplikimet me brez të gjerë. SiC ofron efikasitet të shtuar të energjisë, madhësi kompakte, peshë të reduktuar dhe kosto të përgjithshme më të ulëta të sistemit.

Kërkesa për pluhurat SiC me pastërti të lartë në industrinë elektronike dhe gjysmëpërçuese e ka shtyrë Semicera të zhvillojë një pastërti superiore të lartëPluhur SiC. Metoda inovative e Semicera për prodhimin e SiC me pastërti të lartë rezulton në pluhura që demonstrojnë ndryshime më të buta morfologjike, konsum më të ngadaltë të materialit dhe ndërfaqe më të qëndrueshme të rritjes në konfigurimet e rritjes së kristalit.

Pluhuri ynë SiC me pastërti të lartë është i disponueshëm në madhësi të ndryshme dhe mund të personalizohet për të përmbushur kërkesat specifike të klientit. Për më shumë detaje dhe për të diskutuar projektin tuaj, ju lutemi kontaktoni Semicera.