Meshë lidhëse LiNbO3

Përshkrimi i shkurtër:

Kristali i niobatit të litiumit ka veti të shkëlqyera elektro-optike, akusto-optike, piezoelektrike dhe jolineare. Kristali i niobatit të litiumit është një kristal i rëndësishëm shumëfunksional me veti të mira optike jolineare dhe një koeficient të madh optik jolinear; ai gjithashtu mund të arrijë përputhjen e fazës jokritike. Si një kristal elektro-optik, ai është përdorur si një material i rëndësishëm përcjellës valësh optik; si një kristal piezoelektrik, mund të përdoret për të bërë filtra SAW me frekuencë të mesme dhe të ulët, transduktorë ultrasonikë rezistent ndaj temperaturës së lartë, etj. Përdoren gjerësisht edhe materialet e niobatit të litiumit të dopuar.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Wafer LiNbO3 LiNbO3 e Semicera është projektuar për të përmbushur kërkesat e larta të prodhimit të avancuar të gjysmëpërçuesve. Me vetitë e tij të jashtëzakonshme, duke përfshirë rezistencën e lartë ndaj konsumit, stabilitetin e lartë termik dhe pastërtinë e jashtëzakonshme, kjo vafer është ideale për përdorim në aplikime që kërkojnë saktësi dhe performancë afatgjatë.

Në industrinë e gjysmëpërçuesve, Vaferat e lidhjes LiNbO3 përdoren zakonisht për lidhjen e shtresave të holla në pajisjet optoelektronike, sensorë dhe IC të avancuar. Ato vlerësohen veçanërisht në fotonik dhe MEMS (Sistemet Mikro-Elektromekanike) për shkak të vetive të tyre të shkëlqyera dielektrike dhe aftësisë për t'i bërë ballë kushteve të vështira të funksionimit. Vafera e lidhjes LiNbO3 e Semicera është projektuar për të mbështetur lidhjen e saktë të shtresave, duke rritur performancën e përgjithshme dhe besueshmërinë e pajisjeve gjysmëpërçuese.

Vetitë termike dhe elektrike të LiNbO3
Pika e shkrirjes	1250 ℃
Temperatura e Curie	1140 ℃
Përçueshmëri termike	38 W/m/K @ 25 ℃
Koeficienti i zgjerimit termik (@ 25°C)	//a，2.0×10^-6/K //c，2.2×10^-6/K
Rezistenca	2×10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Konstanta dielektrike	εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2
Konstanta piezoelektrike	D₂₂=2,04×10^-11C/N D₃₃=19,22×10^-11C/N
Koeficienti elektro-optik	γT₃₃=32 pasdite/V， γS₃₃=31 pasdite/V, γT₃₁=10 pasdite/V， γS₃₁= 8,6 pasdite/V, γT₂₂=6,8 pasdite/V， γS₂₂= 3.4 pasdite/V,
Tension gjysmë valë, DC Fusha elektrike // z, drita ⊥ Z; Fushë elektrike // x ose y, dritë ⊥ z	3.03 KV 4.02 KV

Krijuar duke përdorur materiale të cilësisë së lartë, Vafera e lidhjes LiNbO3 siguron besueshmëri të qëndrueshme edhe në kushte ekstreme. Qëndrueshmëria e tij e lartë termike e bën atë veçanërisht të përshtatshëm për mjedise që përfshijnë temperatura të larta, të tilla si ato që gjenden në proceset e epitaksisë gjysmëpërçuese. Për më tepër, pastërtia e lartë e vaferës siguron ndotje minimale, duke e bërë atë një zgjedhje të besueshme për aplikimet kritike gjysmëpërçuese.

Në Semicera, ne jemi të përkushtuar të ofrojmë zgjidhje lider në industri. Vafera jonë lidhëse LiNbO3 ofron qëndrueshmëri të pakrahasueshme dhe aftësi me performancë të lartë për aplikime që kërkojnë pastërti të lartë, rezistencë ndaj konsumit dhe stabilitet termik. Qoftë për prodhimin e avancuar të gjysmëpërçuesve apo teknologji të tjera të specializuara, kjo vafer shërben si një komponent thelbësor për prodhimin e pajisjeve moderne.