-
Çfarë është karabit tantal?
Karbidi i tantalit (TaC) është një përbërje binar e tantalit dhe karbonit me formulën kimike TaC x, ku x zakonisht varion midis 0.4 dhe 1. Ato janë materiale qeramike jashtëzakonisht të forta, të brishtë, zjarrduruese me përçueshmëri metalike. Ato janë pluhura kafe-gri dhe janë ne...Lexo më shumë -
çfarë është karbidi i tantalit
Karbidi i tantalit (TaC) është një material qeramik me temperaturë ultra të lartë me rezistencë ndaj temperaturës së lartë, densitet të lartë, kompaktësi të lartë; pastërti e lartë, përmbajtje papastërtie <5 PPM; dhe inertiteti kimik ndaj amoniakut dhe hidrogjenit në temperatura të larta, dhe stabilitet i mirë termik. E ashtuquajtura ultra e lartë ...Lexo më shumë -
Çfarë është epitaksi?
Shumica e inxhinierëve nuk janë të njohur me epitaksinë, e cila luan një rol të rëndësishëm në prodhimin e pajisjeve gjysmëpërçuese. Epitaksi mund të përdoret në produkte të ndryshme çipi, dhe produkte të ndryshme kanë lloje të ndryshme të epitaksisë, duke përfshirë epitaksinë Si, epitaksinë SiC, epitaksinë GaN, etj. Çfarë është epitaksi?Epitaksi është...Lexo më shumë -
Cilët janë parametrat e rëndësishëm të SiC?
Karbidi i silikonit (SiC) është një material gjysmëpërçues i rëndësishëm me brez të gjerë, i përdorur gjerësisht në pajisjet elektronike me fuqi dhe frekuencë të lartë. Më poshtë janë disa parametra kryesorë të vaferave të karbitit të silikonit dhe shpjegimet e tyre të hollësishme: Parametrat e rrjetës: Sigurohuni që ...Lexo më shumë -
Pse duhet të rrotullohet silikoni me një kristal?
Rrotullimi i referohet procesit të bluarjes së diametrit të jashtëm të një shufre me një kristal silikoni në një shufër të vetme kristali të diametrit të kërkuar duke përdorur një rrotë bluarje diamanti dhe bluarjes së një sipërfaqe referimi me skaj të sheshtë ose brazdë pozicionimi të shufrës së vetme kristali. Diametri i jashtëm i sipërfaqes...Lexo më shumë -
Proceset për prodhimin e pluhurave SiC me cilësi të lartë
Karbidi i silikonit (SiC) është një përbërës inorganik i njohur për vetitë e tij të jashtëzakonshme. SiC që gjendet natyrshëm, i njohur si moissanite, është mjaft i rrallë. Në aplikimet industriale, karbidi i silikonit prodhohet kryesisht përmes metodave sintetike. Në Semicera Semiconductor, ne përdorim teknikë të avancuar...Lexo më shumë -
Kontrolli i uniformitetit të rezistencës radiale gjatë tërheqjes së kristalit
Arsyet kryesore që ndikojnë në uniformitetin e rezistencës radiale të kristaleve të vetme janë rrafshësia e ndërfaqes së ngurtë-lëngjit dhe efekti i rrafshët i vogël gjatë rritjes së kristalit. ,...Lexo më shumë -
Pse furra me një kristal të fushës magnetike mund të përmirësojë cilësinë e kristalit të vetëm
Meqenëse gropa përdoret si enë dhe ka konvekcion brenda, me rritjen e madhësisë së kristalit të vetëm të krijuar, konveksioni i nxehtësisë dhe uniformiteti i gradientit të temperaturës bëhen më të vështira për t'u kontrolluar. Duke shtuar një fushë magnetike për të bërë që shkrirja përçuese të veprojë në forcën e Lorencit, konvekcioni mund të jetë...Lexo më shumë -
Rritja e shpejtë e kristaleve të vetme SiC duke përdorur burimin me shumicë CVD-SiC me metodën e sublimimit
Rritja e shpejtë e kristalit të vetëm SiC duke përdorur burimin me shumicë CVD-SiC nëpërmjet metodës së sublimimitDuke përdorur blloqe të ricikluara CVD-SiC si burim SiC, kristalet SiC u rritën me sukses me një shpejtësi prej 1,46 mm/h përmes metodës PVT. Mikrotubi i kristalit të rritur dhe dendësia e dislokimit tregojnë se de...Lexo më shumë -
Përmbajtja e optimizuar dhe e përkthyer në pajisjet e rritjes epitaksiale të karbitit të silikonit
Nënshtresat e karbitit të silikonit (SiC) kanë defekte të shumta që pengojnë përpunimin e drejtpërdrejtë. Për të krijuar vafera me çip, një film specifik me një kristal duhet të rritet në nënshtresën SiC përmes një procesi epitaksial. Ky film njihet si shtresa epitaksiale. Pothuajse të gjitha pajisjet SiC janë realizuar në epitaksiale...Lexo më shumë -
Roli vendimtar dhe rastet e aplikimit të suceptorëve të grafitit të veshur me SiC në prodhimin e gjysmëpërçuesve
Semicera Semiconductor planifikon të rrisë prodhimin e komponentëve bazë për pajisjet e prodhimit të gjysmëpërçuesve në nivel global. Deri në vitin 2027, ne synojmë të krijojmë një fabrikë të re 20,000 metra katrorë me një investim total prej 70 milionë USD. Një nga komponentët tanë kryesorë, karbidi i silikonit (SiC) vaferi...Lexo më shumë -
Pse duhet të bëjmë epitaksi në nënshtresat e vaferës silikoni?
Në zinxhirin e industrisë së gjysmëpërçuesve, veçanërisht në zinxhirin e industrisë së gjysmëpërçuesve të gjeneratës së tretë (gjysmëpërçues me brez të gjerë), ka nënshtresa dhe shtresa epitaksiale. Cila është rëndësia e shtresës epitaksiale? Cili është ndryshimi midis substratit dhe nënshtresës? Nënstr...Lexo më shumë