-
Procesi i prodhimit të gjysmëpërçuesve – Teknologjia Etch
Qindra procese kërkohen për të kthyer një vafer në gjysmëpërçues. Një nga proceset më të rëndësishme është gravurja - domethënë gdhendja e modeleve të qarkut të imët në vaferë. Suksesi i procesit të gravurës varet nga menaxhimi i variablave të ndryshëm brenda një diapazoni të caktuar të shpërndarjes dhe çdo gravurë...Lexo më shumë -
Materiali ideal për unazat e fokusit në pajisjet e gravurës së plazmës: karabit silikoni (SiC)
Në pajisjet e gravurës së plazmës, përbërësit qeramikë luajnë një rol vendimtar, duke përfshirë unazën e fokusit. Unaza e fokusit, e vendosur rreth vaferit dhe në kontakt të drejtpërdrejtë me të, është thelbësore për fokusimin e plazmës në vaferë duke aplikuar tension në unazë. Kjo rrit OKB-në...Lexo më shumë -
Efekti i përpunimit të karabit të silikonit me një kristal në cilësinë e sipërfaqes së vaferës
Pajisjet e energjisë gjysmëpërçuese zënë një pozicion thelbësor në sistemet elektronike të energjisë, veçanërisht në kontekstin e zhvillimit të shpejtë të teknologjive si inteligjenca artificiale, komunikimet 5G dhe automjetet me energji të re, kërkesat e performancës për to kanë qenë ...Lexo më shumë -
Materiali kryesor për rritjen e SiC: Veshje me karbid tantal
Aktualisht, gjenerata e tretë e gjysmëpërçuesve dominohet nga karabit silikoni. Në strukturën e kostos së pajisjeve të tij, nënshtresa zë 47%, dhe epitaksi zë 23%. Të dy së bashku përbëjnë rreth 70%, që është pjesa më e rëndësishme e prodhimit të pajisjes së karbitit të silikonit...Lexo më shumë -
Si e rrisin rezistencën ndaj korrozionit të materialeve produktet e veshura me karbit tantal?
Veshja e karbitit të tantalit është një teknologji e zakonshme e trajtimit të sipërfaqes që mund të përmirësojë ndjeshëm rezistencën ndaj korrozionit të materialeve. Veshja e karbitit të tantalit mund të ngjitet në sipërfaqen e nënshtresës përmes metodave të ndryshme të përgatitjes, si depozitimi kimik i avullit, fizika...Lexo më shumë -
Dje, Bordi i Inovacionit të Shkencës dhe Teknologjisë lëshoi një njoftim se Huazhuo Precision Technology ndërpreu IPO-në e saj!
Sapo njoftova dorëzimin e pajisjes së parë të pjekjes me lazer 8 inç SIC në Kinë, e cila është gjithashtu teknologjia e Tsinghua; Pse i tërhoqën vetë materialet? Vetëm disa fjalë: Së pari, produktet janë shumë të ndryshme! Në pamje të parë, nuk e di se çfarë bëjnë. Aktualisht, H...Lexo më shumë -
Veshje karabit silikoni CVD-2
Veshje me karabit silikoni CVD 1. Pse ka një shtresë karabit silikoni Shtresa epitaksiale është një shtresë e hollë specifike me një kristal, e rritur mbi bazën e vaferës gjatë procesit epitaksial. Vafera e nënshtresës dhe filmi i hollë epitaksial quhen kolektivisht vafera epitaksiale. Mes tyre, edhe...Lexo më shumë -
Procesi i përgatitjes së veshjes SIC
Aktualisht, metodat e përgatitjes së veshjes SiC përfshijnë kryesisht metodën xhel-sol, metodën e futjes, metodën e veshjes me furçë, metodën e spërkatjes me plazmë, metodën e reaksionit kimik të avullit (CVR) dhe metodën e depozitimit kimik të avullit (CVD). Metoda e ngulitjesKjo metodë është një lloj faze e ngurtë me temperaturë të lartë ...Lexo më shumë -
Veshje me karabit silikoni CVD-1
Çfarë është CVD SiC Depozitimi kimik i avullit (CVD) është një proces depozitimi në vakum që përdoret për të prodhuar materiale të ngurta me pastërti të lartë. Ky proces përdoret shpesh në fushën e prodhimit të gjysmëpërçuesve për të formuar filma të hollë në sipërfaqen e vaferave. Në procesin e përgatitjes së SiC nga CVD, nënshtresa është eksploruar...Lexo më shumë -
Analiza e strukturës së dislokimit në kristalin SiC me anë të simulimit të gjurmimit të rrezeve të ndihmuar nga imazhet topologjike me rreze X
Sfondi i kërkimit Rëndësia e aplikimit të karabit të silikonit (SiC): Si një material gjysmëpërçues me hapësirë të gjerë brezi, karabidi i silikonit ka tërhequr shumë vëmendje për shkak të vetive të tij të shkëlqyera elektrike (të tilla si hapësira më e madhe e brezit, shpejtësia më e lartë e ngopjes së elektroneve dhe përçueshmëria termike). Këto mbështetëse...Lexo më shumë -
Procesi i përgatitjes së kristalit të farës në rritjen e kristalit të SiC 3
Verifikimi i rritjes Kristalet e farës së karbitit të silikonit (SiC) u përgatitën duke ndjekur procesin e përshkruar dhe u vërtetuan përmes rritjes së kristaleve SiC. Platforma e rritjes e përdorur ishte një furrë rritjeje me induksion SiC e zhvilluar vetë me një temperaturë rritjeje prej 2200℃, një presion rritjeje prej 200 Pa dhe një rritje ...Lexo më shumë -
Procesi i përgatitjes së kristalit të farës në rritjen e kristalit të SiC (Pjesa 2)
2. Procesi eksperimental 2.1 Kurimi i filmit ngjitës U vu re se krijimi i drejtpërdrejtë i një filmi karboni ose lidhja me letër grafiti në vaferat SiC të veshura me ngjitës çoi në disa çështje: 1. Në kushte vakumi, filmi ngjitës në vaferat SiC zhvilloi një pamje të ngjashme me shkallë për të nënshkruar...Lexo më shumë