CVD Bulk karabit silikoni (SiC)
Përmbledhje:CVDkarabit silikoni me shumicë (SiC)është një material shumë i kërkuar në pajisjet e gravurës së plazmës, aplikacionet e përpunimit të shpejtë termik (RTP) dhe proceset e tjera të prodhimit të gjysmëpërçuesve. Vetitë e tij të jashtëzakonshme mekanike, kimike dhe termike e bëjnë atë një material ideal për aplikime të teknologjisë së avancuar që kërkojnë saktësi dhe qëndrueshmëri të lartë.
Aplikimet e CVD Bulk SiC:SiC pjesa më e madhe është thelbësore në industrinë e gjysmëpërçuesve, veçanërisht në sistemet e gravimit të plazmës, ku komponentët si unazat e fokusit, kokat e dushit me gaz, unazat e skajit dhe pllakat përfitojnë nga rezistenca e jashtëzakonshme ndaj korrozionit dhe përçueshmëria termike e SiC. Përdorimi i tij shtrihet nëRTPsistemet për shkak të aftësisë së SiC për të përballuar luhatjet e shpejta të temperaturës pa degradim të konsiderueshëm.
Përveç pajisjeve të gravurës, CVDSiC me shumicëfavorizohet në furrat e difuzionit dhe proceset e rritjes së kristalit, ku kërkohet qëndrueshmëri e lartë termike dhe rezistencë ndaj mjediseve të ashpra kimike. Këto atribute e bëjnë SiC materialin e zgjedhur për aplikime me kërkesa të larta që përfshijnë temperatura të larta dhe gazra gërryes, si ato që përmbajnë klor dhe fluor.
Përparësitë e komponentëve CVD Bulk SiC:
•Dendësi e lartë:Me një dendësi prej 3.2 g/cm³,CVD pjesa më e madhe SiCkomponentët janë shumë rezistent ndaj konsumit dhe ndikimeve mekanike.
•Përçueshmëri e lartë termike:Duke ofruar përçueshmëri termike prej 300 W/m·K, SiC pjesa më e madhe menaxhon në mënyrë efikase nxehtësinë, duke e bërë atë ideal për komponentët e ekspozuar ndaj cikleve ekstreme termike.
•Rezistencë e jashtëzakonshme kimike:Reaktiviteti i ulët i SiC me gazrat gravurë, duke përfshirë klorin dhe kimikatet me bazë fluorin, siguron jetëgjatësi të komponentit.
•Rezistenca e rregullueshme: SiC me shumicë CVDrezistenca mund të personalizohet brenda intervalit 10-2–104 Ω-cm, duke e bërë atë të adaptueshëm ndaj nevojave specifike të gdhendjes dhe prodhimit të gjysmëpërçuesve.
•Koeficienti i zgjerimit termik:Me një koeficient zgjerimi termik prej 4,8 x 10-6/°C (25-1000°C), SiC pjesa më e madhe CVD i reziston goditjes termike, duke ruajtur stabilitetin e dimensioneve edhe gjatë cikleve të shpejta të ngrohjes dhe ftohjes.
•Qëndrueshmëria në plazmë:Ekspozimi ndaj plazmës dhe gazeve reaktive është i pashmangshëm në proceset gjysmëpërçuese, porCVD pjesa më e madhe SiCofron rezistencë superiore ndaj korrozionit dhe degradimit, duke reduktuar frekuencën e zëvendësimit dhe kostot e përgjithshme të mirëmbajtjes.
Specifikimet teknike:
•Diametri:Më shumë se 305 mm
•Rezistenca:E rregullueshme brenda 10⁻²–104 Ω-cm
•Dendësia:3.2 g/cm³
•Përçueshmëria termike:300 W/m·K
•Koeficienti i zgjerimit termik:4,8 x 10-6/°C (25–1000°C)
Përshtatje dhe fleksibilitet:NëGjysmëpërçues gjysmëpërçues, ne e kuptojmë se çdo aplikim gjysmëpërçues mund të kërkojë specifika të ndryshme. Kjo është arsyeja pse përbërësit tanë SiC me shumicë CVD janë plotësisht të personalizueshëm, me rezistencë të rregullueshme dhe dimensione të përshtatura për t'iu përshtatur nevojave tuaja të pajisjeve. Pavarësisht nëse jeni duke optimizuar sistemet tuaja të gravimit të plazmës ose jeni duke kërkuar për komponentë të qëndrueshëm në RTP ose proceset e difuzionit, SiC jonë pjesa më e madhe CVD ofron performancë të pashembullt.
