Përshkrimi
Semicera GaN Epitaxy Carrier është projektuar me përpikëri për të përmbushur kërkesat e rrepta të prodhimit modern të gjysmëpërçuesve. Me një bazë materialesh me cilësi të lartë dhe inxhinieri precize, ky mbajtës shquhet për performancën dhe besueshmërinë e tij të jashtëzakonshme. Integrimi i veshjes me karabit silikoni (SiC) të depozitimit kimik të avullit (CVD) siguron qëndrueshmëri superiore, efikasitet termik dhe mbrojtje, duke e bërë atë një zgjedhje të preferuar për profesionistët e industrisë.
Karakteristikat kryesore
1. Qëndrueshmëri e jashtëzakonshmeVeshja CVD SiC në mbajtësin GaN Epitaxy rrit rezistencën e saj ndaj konsumimit, duke zgjatur ndjeshëm jetën e saj funksionale. Kjo qëndrueshmëri siguron performancë të qëndrueshme edhe në mjedise prodhuese të vështira, duke reduktuar nevojën për zëvendësime dhe mirëmbajtje të shpeshta.
2. Efikasitet i lartë termikMenaxhimi termik është kritik në prodhimin e gjysmëpërçuesve. Vetitë termike të avancuara të GaN Epitaxy Carrier lehtësojnë shpërndarjen efikase të nxehtësisë, duke ruajtur kushtet optimale të temperaturës gjatë procesit të rritjes epitaksiale. Ky efikasitet jo vetëm që përmirëson cilësinë e vaferave gjysmëpërçuese, por gjithashtu rrit efikasitetin e përgjithshëm të prodhimit.
3. Aftësitë mbrojtëseVeshja SiC siguron mbrojtje të fortë kundër korrozionit kimik dhe goditjeve termike. Kjo siguron që integriteti i transportuesit të ruhet gjatë gjithë procesit të prodhimit, duke ruajtur materialet delikate gjysmëpërçuese dhe duke rritur rendimentin e përgjithshëm dhe besueshmërinë e procesit të prodhimit.
Specifikimet teknike:
Aplikimet:
Transportuesi Semicorex GaN Epitaxy është ideal për një shumëllojshmëri të proceseve të prodhimit të gjysmëpërçuesve, duke përfshirë:
• Rritja epitaksiale GaN
• Proceset gjysmëpërçuese me temperaturë të lartë
• Depozitimi i avullit kimik (CVD)
• Aplikime të tjera të avancuara të prodhimit të gjysmëpërçuesve
