Mbështjellës grafiti MOCVD i veshur me UV të thellë me TaC

Imazhi i veçuar me Mbrojtës grafiti MOCVD të veshur me UV të thellë UV LED

Përshkrimi i shkurtër:

Mbështetësi i Grafitit MOCVD me Veshje TaC Deep UV LED nga Semicera është projektuar për performancë superiore në aplikimet e epitaksisë MOCVD. I prodhuar në Kinë, ai ofron qëndrueshmëri të shtuar dhe rezistencë më të lartë ndaj temperaturës, duke e bërë atë ideal për kushte të vështira. Teknologjia e avancuar e veshjes së Semicera siguron funksionim të besueshëm dhe efikas, duke mbështetur prodhimin me cilësi të lartë Deep UV LED.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

E veshur me TaCBaza e grafitit LED ultravjollcë e thellë i referohet procesit të përmirësimit të performancës dhe stabilitetit të pajisjes duke depozituar njëVeshje TaCnë bazën e grafitit gjatë përgatitjes së pajisjes LED me ultravjollcë të thellë. Kjo shtresë mund të përmirësojë performancën e shpërndarjes së nxehtësisë, rezistencën ndaj temperaturës së lartë dhe rezistencën ndaj oksidimit të pajisjes, duke përmirësuar kështu efikasitetin dhe besueshmërinë e pajisjes LED. Pajisjet LED me ultravjollcë të thellë përdoren zakonisht në disa fusha të veçanta, si dezinfektimi, ndriçimi, etj., të cilat kanë kërkesa të larta për qëndrueshmërinë dhe performancën e pajisjes. Aplikimi iGrafit i veshur me TaCbaza mund të rrisë në mënyrë efektive qëndrueshmërinë dhe performancën e pajisjes, duke ofruar mbështetje të rëndësishme për zhvillimin e teknologjisë LED ultravjollcë të thellë.

Semicera ofron veshje të specializuara të karbitit të tantalit (TaC) për komponentë dhe transportues të ndryshëm.Procesi kryesor i veshjes Semicera mundëson veshjet e karbitit të tantalit (TaC) të arrijnë pastërti të lartë, stabilitet të temperaturës së lartë dhe tolerancë të lartë kimike, duke përmirësuar cilësinë e produktit të kristaleve SIC/GAN dhe shtresave EPI (Ndikues TaC i veshur me grafit), dhe zgjatjen e jetës së komponentëve kryesorë të reaktorit. Përdorimi i veshjes së karbitit të tantalit TaC është për të zgjidhur problemin e skajit dhe për të përmirësuar cilësinë e rritjes së kristalit, dhe Semicera ka zbuluar zbulimin e teknologjisë së veshjes së karbitit të tantalit (CVD), duke arritur nivelin e avancuar ndërkombëtar.

Pas vitesh zhvillimi, Semicera ka pushtuar teknologjinë eCVD TaCme përpjekjet e përbashkëta të departamentit të R&D. Defektet janë të lehta për t'u ndodhur në procesin e rritjes së vaferave SiC, por pas përdorimitTaC, dallimi është i rëndësishëm. Më poshtë është një krahasim i vaferave me dhe pa TaC, si dhe pjesëve Simicera për rritjen e kristalit.

Veshje karabit tantal me efikasitet të lartë_ përmirëson efikasitetin e prodhimit industrial dhe zvogëlon kostot e mirëmbajtjes Imazhi i veçuar

Tac pjesë për rritje tek kristal

Veshje kundër konsumit të karbitit të tantalit_ Mbron pajisjet nga konsumimi dhe korrozioni Imazhi i veçuar

Grafit me unazë të veshur me TaC

me dhe pa TaC

Pas përdorimit të TaC (djathtas)

Për më tepër, Semicera'sProdukte të veshura me TaCshfaqin një jetë më të gjatë shërbimi dhe rezistencë më të madhe ndaj temperaturës së lartë në krahasim meVeshje SiC.Matjet laboratorike kanë treguar se tonëVeshje TaCmund të funksionojë vazhdimisht në temperatura deri në 2300 gradë Celsius për periudha të gjata. Më poshtë janë disa shembuj të mostrave tona: