Semicera ofron veshje të specializuara të karbitit të tantalit (TaC) për komponentë dhe transportues të ndryshëm.Procesi kryesor i veshjes Semicera mundëson veshjet e karbitit të tantalit (TaC) të arrijnë pastërti të lartë, stabilitet të temperaturës së lartë dhe tolerancë të lartë kimike, duke përmirësuar cilësinë e produktit të kristaleve SIC/GAN dhe shtresave EPI (Ndikues TaC i veshur me grafit), dhe zgjatjen e jetës së komponentëve kryesorë të reaktorit. Përdorimi i veshjes së karbitit të tantalit TaC është për të zgjidhur problemin e skajit dhe për të përmirësuar cilësinë e rritjes së kristalit, dhe Semicera ka zbuluar zbulimin e teknologjisë së veshjes së karbitit të tantalit (CVD), duke arritur nivelin e avancuar ndërkombëtar.
Pas vitesh zhvillimi, Semicera ka pushtuar teknologjinë eCVD TaCme përpjekjet e përbashkëta të departamentit të R&D. Defektet janë të lehta për t'u ndodhur në procesin e rritjes së vaferave SiC, por pas përdorimitTaC, dallimi është i rëndësishëm. Më poshtë është një krahasim i vaferave me dhe pa TaC, si dhe pjesëve Simicera për rritjen e kristalit.
me dhe pa TaC
Pas përdorimit të TaC (djathtas)
Për më tepër, Semicera'sProdukte të veshura me TaCshfaqin një jetë më të gjatë shërbimi dhe rezistencë më të madhe ndaj temperaturës së lartë në krahasim meVeshje SiC.Matjet laboratorike kanë treguar se tonëVeshje TaCmund të funksionojë vazhdimisht në temperatura deri në 2300 gradë Celsius për periudha të gjata. Më poshtë janë disa shembuj të mostrave tona:
