Semicera ofron veshje të specializuara të karbitit të tantalit (TaC) për komponentë dhe transportues të ndryshëm.Procesi kryesor i veshjes Semicera mundëson veshjet e karbitit të tantalit (TaC) të arrijnë pastërti të lartë, stabilitet të temperaturës së lartë dhe tolerancë të lartë kimike, duke përmirësuar cilësinë e produktit të kristaleve SIC/GAN dhe shtresave EPI (Ndikues TaC i veshur me grafit), dhe zgjatjen e jetës së komponentëve kryesorë të reaktorit. Përdorimi i veshjes së karbitit të tantalit TaC është për të zgjidhur problemin e skajit dhe për të përmirësuar cilësinë e rritjes së kristalit, dhe Semicera ka zbuluar zbulimin e teknologjisë së veshjes së karbitit të tantalit (CVD), duke arritur nivelin e avancuar ndërkombëtar.
Pas vitesh zhvillimi, Semicera ka pushtuar teknologjinë eCVD TaCme përpjekjet e përbashkëta të departamentit të R&D. Defektet janë të lehta për t'u ndodhur në procesin e rritjes së vaferave SiC, por pas përdorimitTaC, dallimi është i rëndësishëm. Më poshtë është një krahasim i vaferave me dhe pa TaC, si dhe pjesëve Semicera për rritjen e një kristali
me dhe pa TaC
Pas përdorimit të TaC (djathtas)
Përveç kësaj, jeta e shërbimit të produkteve të veshjes TaC të Semicera është më e gjatë dhe më rezistente ndaj temperaturave të larta se ajo e veshjes SiC. Pas një kohe të gjatë të të dhënave të matjeve laboratorike, TaC-ja jonë mund të funksionojë për një kohë të gjatë në një maksimum prej 2300 gradë Celsius. Më poshtë janë disa nga mostrat tona:
(a) Diagrami skematik i pajisjes së rritjes së shufrës me një kristal SiC me metodën PVT (b) Kllapa e farës së veshur me TaC (përfshirë farën SiC) (c) unazë udhëzuese e grafit e veshur me TAC
