Semicera paraqet liderin në industriBartës meshë, i projektuar për të ofruar mbrojtje superiore dhe transport pa probleme të vaferave delikate gjysmëpërçuese nëpër faza të ndryshme të procesit të prodhimit. JonëBartës meshëjanë projektuar me përpikëri për të përmbushur kërkesat e rrepta të fabrikimit modern të gjysmëpërçuesve, duke siguruar që integriteti dhe cilësia e vaferave tuaja të ruhen gjatë gjithë kohës.
Karakteristikat kryesore:
• Ndërtimi me materiale premium:Të krijuara nga materiale me cilësi të lartë, rezistente ndaj ndotjes që garantojnë qëndrueshmëri dhe jetëgjatësi, duke i bërë ato ideale për ambiente të pastra.
•Dizajni i saktë:Përmban shtrirje të saktë të folesë dhe mekanizma të sigurt mbajtjeje për të parandaluar rrëshqitjen dhe dëmtimin e vaferës gjatë trajtimit dhe transportit.
•Përputhshmëri e gjithanshme:Akomodon një gamë të gjerë madhësish dhe trashësiesh vaferash, duke ofruar fleksibilitet për aplikime të ndryshme gjysmëpërçuese.
•Trajtimi ergonomik:Dizajni i lehtë dhe miqësor për përdoruesit lehtëson ngarkimin dhe shkarkimin e lehtë, duke rritur efikasitetin operacional dhe duke reduktuar kohën e trajtimit.
•Opsione të personalizueshme:Ofron personalizim për të përmbushur kërkesat specifike, duke përfshirë zgjedhjen e materialit, rregullimet e madhësisë dhe etiketimin për integrimin e optimizuar të rrjedhës së punës.
Përmirësoni procesin tuaj të prodhimit të gjysmëpërçuesve me Semicera'sBartës meshë, zgjidhja perfekte për të mbrojtur vaferat tuaja kundër ndotjes dhe dëmtimeve mekanike. Besoni në përkushtimin tonë ndaj cilësisë dhe inovacionit për të ofruar produkte që jo vetëm plotësojnë, por tejkalojnë standardet e industrisë, duke siguruar që operacionet tuaja të funksionojnë pa probleme dhe me efikasitet.
| Artikuj | Prodhimi | Hulumtimi | Bedel |
| Parametrat e Kristalit | |||
| Politip | 4H | ||
| Gabim në orientimin e sipërfaqes | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametrat Elektrikë | |||
| Dopant | Azoti i tipit n | ||
| Rezistenca | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametrat Mekanikë | |||
| Diametri | 150,0±0,2 mm | ||
| Trashësia | 350±25 μm | ||
| Orientimi primar i sheshtë | [1-100]±5° | ||
| Gjatësia primare e sheshtë | 47,5±1,5 mm | ||
| Banesa dytësore | Asnjë | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Përkuluni | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformoj | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Vrazhdësia e përparme (Fytyra Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struktura | |||
| Dendësia e mikrotubit | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Papastërtitë metalike | ≤5E10 atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Cilësia e përparme | |||
| Përpara | Si | ||
| Përfundimi i sipërfaqes | CMP si-fytyre | ||
| Grimcat | ≤60ea/vafer (madhësia≥0,3μm) | NA | |
| Gërvishtjet | ≤5ea/mm. Gjatësia kumulative ≤Diametri | Gjatësia kumulative≤2*Diametri | NA |
| Lëkurë portokalli/gropa/njolla/striacione/ çarje/ndotje | Asnjë | NA | |
| Çipat e skajit / vrima / thyerje / pllaka gjashtëkëndore | Asnjë | ||
| Zonat politip | Asnjë | Zona kumulative≤20% | Zona kumulative≤30% |
| Shënimi i përparmë me lazer | Asnjë | ||
| Cilësia e pasme | |||
| Përfundimi i pasmë | CMP me fytyrë C | ||
| Gërvishtjet | ≤5ea/mm,Gjatësia kumulative≤2*Diametri | NA | |
| Defekte të pasme (patate të skuqura / dhëmbëzimet e skajeve) | Asnjë | ||
| Vrazhdësia e shpinës | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Shënimi me lazer prapa | 1 mm (nga buza e sipërme) | ||
| Buzë | |||
| Buzë | Chamfer | ||
| Paketimi | |||
| Paketimi | Epi-gati me paketim vakum Paketim kasetë me shumë vafera | ||
| *Shënime: "NA" do të thotë asnjë kërkesë Artikujt që nuk përmenden mund t'i referohen SEMI-STD. | |||
