Në fushën e sotme të teknologjisë elektronike, materialet gjysmëpërçuese luajnë një rol vendimtar.Midis tyre, karbidi i silikonit (SiC) si një material gjysmëpërçues me një brez të gjerë, me avantazhet e tij të shkëlqyera të performancës, si fusha elektrike e lartë e prishjes, shpejtësia e lartë e ngopjes, përçueshmëria e lartë termike, etj., po bëhet gradualisht në fokusin e studiuesve dhe inxhinierëve.Disku epitaksial i karbitit të silikonit, si pjesë e rëndësishme e tij, ka shfaqur një potencial të madh aplikimi.
一、Performanca e diskut epitaksial: avantazhe të plota
1. Fusha elektrike me zbërthim ultra të lartë: krahasuar me materialet tradicionale të silikonit, fusha elektrike e prishjes së karabit të silikonit është më shumë se 10 herë.Kjo do të thotë që në të njëjtat kushte tensioni, pajisjet elektronike që përdorin disqe epitaksiale të karbitit të silikonit mund të përballojnë rryma më të larta, duke krijuar kështu pajisje elektronike me tension të lartë, me frekuencë të lartë dhe me fuqi të lartë.
2. Shpejtësia e ngopjes me shpejtësi të lartë: shpejtësia e ngopjes së karabit të silikonit është më shumë se 2 herë ajo e silikonit.Duke funksionuar me temperaturë të lartë dhe shpejtësi të lartë, disku epitaksial i karbitit të silikonit funksionon më mirë, gjë që përmirëson ndjeshëm stabilitetin dhe besueshmërinë e pajisjeve elektronike.
3. Përçueshmëri termike me efikasitet të lartë: përçueshmëria termike e karbitit të silikonit është më shumë se 3 herë ajo e silikonit.Kjo veçori lejon pajisjet elektronike të shpërndajnë më mirë nxehtësinë gjatë funksionimit të vazhdueshëm me fuqi të lartë, duke parandaluar kështu mbinxehjen dhe duke përmirësuar sigurinë e pajisjes.
4. Stabilitet i shkëlqyer kimik: në mjedise ekstreme si temperatura e lartë, presioni i lartë dhe rrezatimi i fortë, performanca e karabit të silikonit është ende e qëndrueshme si më parë.Kjo veçori mundëson që disku epitaksial i karbitit të silikonit të mbajë performancë të shkëlqyer përballë mjediseve komplekse.
Procesi i prodhimit: i gdhendur me kujdes
Proceset kryesore për prodhimin e diskut epitaksial SIC përfshijnë depozitimin fizik të avullit (PVD), depozitimin kimik të avullit (CVD) dhe rritjen epitaksiale.Secili prej këtyre proceseve ka karakteristikat e veta dhe kërkon kontroll të saktë të parametrave të ndryshëm për të arritur rezultatet më të mira.
1. Procesi PVD: Me anë të avullimit ose spërkatjes dhe metodave të tjera, objektivi i SiC depozitohet në substrat për të formuar një shtresë.Filmi i përgatitur me këtë metodë ka pastërti të lartë dhe kristalitet të mirë, por shpejtësia e prodhimit është relativisht e ngadaltë.
2. Procesi CVD: Duke plasaritur gazin e burimit të karbitit të silikonit në temperaturë të lartë, ai depozitohet në nënshtresë për të formuar një shtresë të hollë.Trashësia dhe uniformiteti i filmit të përgatitur me këtë metodë janë të kontrollueshme, por pastërtia dhe kristaliteti janë të dobëta.
3. Rritja epitaksiale: rritja e shtresës epitaksiale të SiC në silikon monokristalor ose materiale të tjera monokristaline me metodën e depozitimit kimik të avullit.Shtresa epitaksiale e përgatitur me këtë metodë ka përputhje të mirë dhe performancë të shkëlqyer me materialin e nënshtresës, por kostoja është relativisht e lartë.
三、Perspektiva e aplikimit: Ndriçoni të ardhmen
Me zhvillimin e vazhdueshëm të teknologjisë së elektronikës së energjisë dhe kërkesës në rritje për pajisje elektronike me performancë të lartë dhe besueshmëri të lartë, disku epitaksial i karbitit të silikonit ka një perspektivë të gjerë aplikimi në prodhimin e pajisjeve gjysmëpërçuese.Përdoret gjerësisht në prodhimin e pajisjeve gjysmëpërçuese me fuqi të lartë me frekuencë të lartë, si çelsat elektronikë të fuqisë, invertorët, ndreqësit, etj. Përveç kësaj, përdoret gjerësisht edhe në qelizat diellore, LED dhe fusha të tjera.
Me avantazhet e tij unike të performancës dhe përmirësimin e vazhdueshëm të procesit të prodhimit, disku epitaksial i karbitit të silikonit po tregon gradualisht potencialin e tij të madh në fushën e gjysmëpërçuesve.Ne kemi arsye të besojmë se në të ardhmen e shkencës dhe teknologjisë, ajo do të luajë një rol më të rëndësishëm.
Koha e postimit: Nëntor-28-2023