Përshkrimi
Kompania jonë ofron shërbime të procesit të veshjes SiC me metodën CVD në sipërfaqen e grafitit, qeramikës dhe materialeve të tjera, në mënyrë që gazet speciale që përmbajnë karbon dhe silikon të reagojnë në temperaturë të lartë për të marrë molekula SiC me pastërti të lartë, molekula të depozituara në sipërfaqen e materialeve të veshura, duke formuar shtresë mbrojtëse SIC.
Karakteristikat kryesore
1. Rezistenca ndaj oksidimit në temperaturë të lartë: rezistenca ndaj oksidimit është ende shumë e mirë kur temperatura është deri në 1600 C.
2. Pastërti e lartë: e bërë nga depozitimi kimik i avullit në kushte të klorimit me temperaturë të lartë.
3. Rezistenca ndaj erozionit: fortësi e lartë, sipërfaqe kompakte, grimca të imta.
4. Rezistenca ndaj korrozionit: acid, alkali, kripë dhe reagentë organikë.
Specifikimet kryesore të veshjes CVD-SIC
| Vetitë SiC-CVD | ||
| Struktura Kristale | Faza β FCC | |
| Dendësia | g/cm³ | 3.21 |
| Fortësia | Fortësia e Vickers | 2500 |
| Madhësia e grurit | μm | 2 ~ 10 |
| Pastërtia Kimike | % | 99,99995 |
| Kapaciteti i nxehtësisë | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura e sublimimit | ℃ | 2700 |
| Forca Feleksural | MPa (RT 4 pikë) | 415 |
| Moduli i Young | Gpa (përkulje 4 pikë, 1300 ℃) | 430 |
| Zgjerimi termik (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Përçueshmëri termike | (W/mK) | 300 |
