Fuçi e reaktorit epitaksial të veshur me SiC

Imazhi i veçuar i fuçisë së reaktorit epitaksial të veshur me SiC

Përshkrim i shkurtër:

Semicera ofron një gamë gjithëpërfshirëse të suceptorëve dhe komponentëve grafit të projektuar për reaktorë të ndryshëm epitaksi.

Nëpërmjet partneriteteve strategjike me OEM-të lider në industri, ekspertizës së gjerë të materialeve dhe aftësive të avancuara të prodhimit, Semicera ofron dizajne të përshtatura për të përmbushur kërkesat specifike të aplikacionit tuaj.Angazhimi ynë ndaj përsosmërisë siguron që ju të merrni zgjidhje optimale për nevojat tuaja të reaktorit të epitaksisë.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Përshkrim

Kompania jonë ofronVeshje SiCpërpunoni shërbimet në sipërfaqen e grafitit, qeramikës dhe materialeve të tjera me metodën CVD, në mënyrë që gazet speciale që përmbajnë karbon dhe silikon të mund të reagojnë në temperaturë të lartë për të marrë molekula Sic me pastërti të lartë, të cilat mund të depozitohen në sipërfaqen e materialeve të veshura për të formuar njëShtresë mbrojtëse SiCper epitaksi fuçi tip hy pnotic.

sic (1)

sic (2)

Karakteristikat kryesore

1. Rezistenca ndaj oksidimit në temperaturë të lartë:
rezistenca ndaj oksidimit është ende shumë e mirë kur temperatura është deri në 1600 C.
2. Pastërti e lartë: e bërë nga depozitimi kimik i avullit në kushte të klorimit me temperaturë të lartë.
3. Rezistenca ndaj erozionit: fortësi e lartë, sipërfaqe kompakte, grimca të imta.
4. Rezistenca ndaj korrozionit: acid, alkali, kripë dhe reagentë organikë.

Specifikimet kryesore të veshjes CVD-SIC

Vetitë SiC-CVD
Struktura Kristale	Faza β FCC
Dendësia	g/cm³	3.21
Fortësia	Fortësia e Vickers	2500
Madhësia e grurit	μm	2 ~ 10
Pastërtia Kimike	%	99,99995
Kapaciteti i nxehtësisë	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura e sublimimit	℃	2700
Forca Feleksural	MPa (RT 4 pikë)	415
Moduli i Young	Gpa (përkulje 4 pikë, 1300 ℃)	430
Zgjerimi termik (CTE)	10-6K-1	4.5
Përçueshmëri termike	(W/mK)	300