Nënshtresat e karbitit të silikonit| Vaferat SiC

Nënshtresat e karbitit të silikonit|Imazhi i veçuar i Vaferave SiC

Përshkrim i shkurtër:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. është një furnizues kryesor i specializuar në vaferë dhe materiale harxhuese gjysmëpërçuese të avancuara.Ne jemi të përkushtuar për të ofruar produkte me cilësi të lartë, të besueshme dhe inovative për prodhimin e gjysmëpërçuesve, industrinë fotovoltaike dhe fusha të tjera të ngjashme.

Linja jonë e produkteve përfshin produkte grafiti të veshura me SiC/TaC dhe produkte qeramike, duke përfshirë materiale të ndryshme si karbidi i silikonit, nitridi i silikonit dhe oksidi i aluminit etj.

Aktualisht, ne jemi prodhuesi i vetëm që ofrojmë pastërti 99,9999% shtresë SiC dhe 99,9% karabit silikoni të rikristalizuar.Gjatësia maksimale e veshjes SiC që mund të bëjmë 2640 mm.

Na dërgoni email

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Materiali me një kristal karabit të silikonit (SiC) ka një gjerësi të madhe të hendekut të brezit (~Si 3 herë), përçueshmëri të lartë termike (~Si 3.3 herë ose GaAs 10 herë), shkallë të lartë të migrimit të ngopjes së elektroneve (~Si 2.5 herë), elektricitet të lartë prishjeje fushë (~Si 10 herë ose GaAs 5 herë) dhe karakteristika të tjera të jashtëzakonshme.

Pajisjet SiC kanë avantazhe të pazëvendësueshme në fushën e temperaturës së lartë, presionit të lartë, frekuencës së lartë, pajisjeve elektronike me fuqi të lartë dhe aplikimeve ekstreme mjedisore si hapësira ajrore, ushtarake, energjia bërthamore, etj., duke plotësuar në praktikë defektet e pajisjeve tradicionale të materialeve gjysmëpërçuese. aplikacionet dhe gradualisht po bëhen rryma kryesore e gjysmëpërçuesve të energjisë.

4H-SiC Specifikimi i substratit të karbitit të silikonit

Artikulli项目	Specifikimet 参数
Politip 晶型	4H -SiC	6H- SiC
Diametri 晶圆直径	2 inç \|3 inç \|4 inç \|6 inç	2 inç \|3 inç \|4 inç \|6 inç
Trashësia 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Përçueshmëria 导电类型	N – tipi / gjysmëizolues N型导电片/ 半绝缘片	N – tipi / gjysmëizolues N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (Azot)V (Vanadium)	N2 (Azot) V (Vanadium)
Orientim 晶向	Në aksin <0001> Jashtë boshtit <0001> jashtë 4°	Në aksin <0001> Jashtë boshtit <0001> jashtë 4°
Rezistenca 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N)
Dendësia e mikrotubit (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Hark / Dekor 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Sipërfaqe 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Gradë 产品等级	Nota e prodhimit / kërkimit	Nota e prodhimit / kërkimit
Sekuenca e grumbullimit të kristaleve 堆积方式	ABCB	ABCABC
Parametri i rrjetës 晶格参数	a=3.076A, c=10.053A	a=3.073A, c=15.117A
P.sh./eV (Band-gap) 禁带宽度	3,27 eV	3.02 eV
ε (Konstante dielektrike) 介电常数	9.6	9.66
Indeksi i Përthyerjes 折射率	n0 =2.719 ne =2.777	n0 =2,707 , ne = 2,755

Specifikimet e substratit të karabit të silikonit 6H-SiC

Artikulli项目	Specifikimet 参数
Politip 晶型	6H-SiC
Diametri 晶圆直径	4 inç \|6 inç
Trashësia 厚度	350μm ~ 450μm
Përçueshmëria 导电类型	N – tipi / gjysmëizolues N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (Azot) V (vanadium)
Orientim 晶向	<0001> ulje 4°± 0,5°
Rezistenca 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (Lloji 6H-N)
Dendësia e mikrotubit (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Hark / Dekor 翘曲度	≤25 μm
Sipërfaqe 表面处理	Si Fytyra: CMP, Epi-Ready Fytyra C: Llak optik
Gradë 产品等级	Nota e kërkimit