Shtresa termike e oksidit të një vafere silikoni është një shtresë oksidi ose shtresë silici e formuar në sipërfaqen e zhveshur të një vafere silikoni në kushte të temperaturës së lartë me një agjent oksidues.Shtresa termike e oksidit të meshës së silikonit zakonisht rritet në një furrë me tub horizontal, dhe diapazoni i temperaturës së rritjes është përgjithësisht 900 ° C ~ 1200 ° C, dhe ekzistojnë dy mënyra rritjeje të "oksidimit të lagësht" dhe "oksidimit të thatë".Shtresa e oksidit termik është një shtresë oksidi "e rritur" që ka homogjenitet më të lartë dhe forcë dielektrike më të lartë se shtresa e oksidit të depozituar në CVD.Shtresa e oksidit termik është një shtresë e shkëlqyer dielektrike si izolues.Në shumë pajisje me bazë silikoni, shtresa e oksidit termik luan një rol të rëndësishëm si një shtresë bllokuese e dopingut dhe dielektrike sipërfaqësore.
Këshilla: Lloji i oksidimit
1. Oksidimi i thatë
Silikoni reagon me oksigjenin dhe shtresa e oksidit lëviz drejt shtresës bazale.Oksidimi i thatë duhet të kryhet në një temperaturë prej 850 deri në 1200 ° C, dhe shkalla e rritjes është e ulët, e cila mund të përdoret për rritjen e portës së izolimit MOS.Kur kërkohet një shtresë oksidi silikoni me cilësi të lartë, ultra të hollë, preferohet oksidimi i thatë mbi oksidimin e lagësht.
Kapaciteti i oksidimit të thatë: 15nm~300nm (150A ~ 3000A)
2. Oksidimi i lagësht
Kjo metodë përdor një përzierje hidrogjeni dhe oksigjeni me pastërti të lartë për t'u djegur në ~1000 ° C, duke prodhuar kështu avujt e ujit për të formuar një shtresë oksidi.Edhe pse oksidimi i lagësht nuk mund të prodhojë shtresë oksidimi me cilësi të lartë sa oksidimi i thatë, por mjaftueshëm për t'u përdorur si zonë izolimi, krahasuar me oksidimin e thatë ka një avantazh të qartë se ka një shkallë më të lartë rritjeje.
Kapaciteti i oksidimit të lagësht: 50nm~ 15µm (500A ~15µm)
3. Metoda e thatë - metoda e lagësht - metoda e thatë
Në këtë metodë, oksigjeni i pastër i thatë lëshohet në furrën e oksidimit në fazën fillestare, hidrogjeni shtohet në mes të oksidimit dhe hidrogjeni ruhet në fund për të vazhduar oksidimin me oksigjen të pastër të thatë për të formuar një strukturë oksidimi më të dendur sesa procesi i zakonshëm i oksidimit të lagësht në formën e avullit të ujit.
4. Oksidimi TEOS
| Teknika e oksidimit | Oksidim i lagësht ose oksidim i thatë |
| Diametri | 2" / 3" / 4" / 6" / 8" / 12" |
| Trashësia e oksidit | 100 Å ~ 15 μm |
| Toleranca | +/- 5% |
| Sipërfaqe | Oksidim me një anë (SSO) / Oksidim me dy anë (DSO) |
| furre | Furra me tub horizontal |
| Gazi | Hidrogjeni dhe gazi i oksigjenit |
| Temperatura | 900℃ ~ 1200 ℃ |
| Indeksi i thyerjes | 1.456 |
